￥2199 联想百应M300(i5-12450H/16GB/512GB/集显)

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Part02方法1：集显读图翻开MOSFET的datasheet，集显咱们能够在后面的特性曲线中找到Vgs-Qg曲线，横坐标是总栅极电荷Qg，纵坐标是栅源电压Vgs，比方下图，当栅源极电压。那么怎么获取MOSFET米勒渠道电压呢？有些人榜首反应是用示波器去测，想百示波器当然能够测出来，想百但是在前期原理图规划或许器材选型阶段，有没有更方便的办法获取或许核算出米勒渠道电压的值呢？当然是有的，今日咱们就介绍两种米勒渠道电压的获取方法，一种是读图，一种是核算。

在MOSFET开关的进程中，集显特别是当漏极电压产生快速改变时，集显栅极电压需求阅历一个过渡阶段，这一阶段一般表现为栅极电压改变的渠道部分，称为米勒渠道电压。Part01前语MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关进程中，想百由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在，想百漏极电压的改变会经过该电容耦合到栅极，导致栅极电压呈现不期望的改变。由于电容的充放电特性，集显栅极电压和漏极电压之间的联系呈现出一个相对平稳的渠道。

栅极电压的改变或许导致MOSFET的不稳定作业，想百特别是在高频或快速开关时，这或许导致振动、过冲、乃至导致MOSFET损坏。这时，集显虽然栅极驱动电压仍在添加或削减，但栅极电流首要用于充电或放电栅极-漏极电容Cgd，使得栅极电压改变缓慢。

米勒渠道的存在一般会使得MOSFET的开关进程变得较慢，想百由于栅极电压在米勒渠道上改变较慢，首要是由于电容充电的时刻

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